الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP35CN10N G
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP35CN10N G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 27A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12806974
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
4
j
b
n
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP35CN10N G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
27A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
35mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 29µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1570 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
58W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP35C
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IPx33-35CN10N G
مخططات البيانات
IPP35CN10N G
ورقة بيانات HTML
IPP35CN10N G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SP000096473
IPP35CN10NG
IPP35CN10N G-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQP44N10
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2393
DiGi رقم الجزء
FQP44N10-DG
سعر الوحدة
0.76
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP24NF10
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
720
DiGi رقم الجزء
STP24NF10-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF540NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
148341
DiGi رقم الجزء
IRF540NPBF-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP30NF10
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
991
DiGi رقم الجزء
STP30NF10-DG
سعر الوحدة
0.79
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN009-100P,127
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
291
DiGi رقم الجزء
PSMN009-100P,127-DG
سعر الوحدة
1.44
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPD100N03S2L-04
MOSFET N-CH 30V 100A TO252-5
IRL5602
MOSFET P-CH 20V 24A TO220AB
IPP80N06S2L09AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRFR2405TRRPBF
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK